Trampa del nivel profundo

Las trampas del nivel profundo o los defectos del nivel profundo son un tipo generalmente indeseable del defecto electrónico en semiconductores. Son "profundos" en el sentido que la energía requerida quitar un electrón o agujero de la trampa a la valencia o cinta de la conducción es mucho más grande que la energía termal característica kT, donde k es Boltzmann constante y T es la temperatura. Las trampas profundas interfieren con tipos más útiles del dopaje compensando el tipo del transportista del precio dominante, aniquilando electrones libres o agujeros de electrones según los cuales es más frecuente. También directamente interfieren con la operación de transistores, fotodiodos y otros dispositivos electrónicos y optoelectrónicos, ofreciendo un estado intermedio dentro de la banda prohibida. Las trampas del nivel profundo acortan la vida no radiación de transportistas del precio y promueven la nueva combinación de transportistas de la minoría, teniendo efectos adversos en el rendimiento del dispositivo de semiconductor.

Los elementos químicos comunes que producen defectos del nivel profundo en el silicio incluyen el hierro, el níquel, el cobre, el oro y la plata. En general, los metales de transición producen este efecto, mientras los metales ligeros como el aluminio no hacen.

Los estados superficiales y los defectos de crystallographic en el celosía de cristal también pueden desempeñar el papel de trampas del nivel profundo.



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